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長(cháng)江存儲“閃存”耀眼奪目
2019-09-11編輯:FLKS

據報道,紫光集團旗下長(cháng)江存儲宣布,在上海中國國際半導體博覽會(huì )舉行前夕,已開(kāi)始量產(chǎn)基于XtackingR架構的64層“三階儲存單元”3D NAND閃存。

所謂3D NAND是通過(guò)將原本平鋪的儲存單元堆疊起來(lái),形成多層結構提供容量,使原本只有1層的儲存單元堆疊成64層或更多層。相比傳統三維閃存架構可帶來(lái)更快的傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產(chǎn)品上市周期。

未來(lái),隨著(zhù)云計算、大數據、5G技術(shù)AI智能的發(fā)展,人類(lèi)對數據存儲要求越來(lái)越挑剔,三維閃存存儲芯片是高端芯片一個(gè)重要領(lǐng)域。目前,存儲芯片市場(chǎng)競爭異常激烈。2018年,64層、72層的3D NAND閃存是主力產(chǎn)品,2019年開(kāi)始量產(chǎn)92層、96層的產(chǎn)品,到2020年,各大廠(chǎng)商預計進(jìn)入128層3D NAND閃存的量產(chǎn)。長(cháng)江存儲64層三維閃存產(chǎn)品的量產(chǎn)有望使中國存儲芯片自產(chǎn)率從8%提升至40%。在美日韓如三星、海力士、東芝、西部數據、美光、英特爾等巨頭大廠(chǎng)壟斷下,長(cháng)江存儲的64層3D NAND閃存量產(chǎn)消息別具一格。

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